TSM210N06CZ C0G
制造商产品编号:

TSM210N06CZ C0G

Product Overview

制造商:

Taiwan Semiconductor Corporation

零件编号:

TSM210N06CZ C0G-DG

描述:

MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
详细描述:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220

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TSM210N06CZ C0G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
210A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
7900 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3

附加信息

标准套餐
50
其他名称
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXFP220N06T3
制造商
IXYS
可用数量
20
部件编号
IXFP220N06T3-DG
单价
3.54
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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